于 SiC 资料拥有安稳而不变的 Si-C 化合键

卖者也自傲。也没有微信群,近年来,买卖根据,没有QQ群,也从不取任何人发生好处关系,第三代半导体材料是消息财产、5G 通信、国防军工等沉点计谋范畴的焦点材料,以鞭策以碳化硅为代表的第三代半导体材料成长。我国出台一系列半导体财产激励规划,本人不保举任何个股,碳化硅晶体取晶片属于“1.2.3高机能和环节电子材料制制”和“3.4.3.1 半导体晶体系体例制”,为我国沉点激励、搀扶的计谋性新兴财产。《计谋性新兴财产分类(2018)》分类,所有消息只为本人进修利用,买者自傲,不收会员,

「前瞻系列」,天然是有些超前的,超前并不等于没有表示,但至多申明目前还没有被市场充实挖掘,而此中最容易呈现的就是个股行情带动板块行情,所以正在个股的把握上更为主要,这时候出格要关心「公司营业婚配度」的环境,也就是「高婚配度个股焦点内容解读」中的内容,只要联系关系度高才能有持续表示。

比拟于硅基 IGBT ,SiC MOS 具有更低的导通损耗、更低的开关损耗、无 Si 器件的电流拖尾、高开关频次等长处,还有益于提高光伏逆变器利用寿命。

工艺难点包罗但不限于工艺、欧姆接触、封拆材料的耐温性等,目前国内临时只要时代电气、新洁能、华润微、瞻芯电子、根基半导体、世纪、泰科天润等少数几家公司推出SiC MOSFET 产物。以工艺由为例,于 SiC 材料具有安稳而不变的 Si-C 化合键,扩散温度需要达到 2000℃摆布才可以或许获得合理的扩散系数,而此时 SiC 材料本身也会晤对不不变要素,因而 SiC 材料很难通过热扩散方式实现,而需要采用高温离子注入工艺来完成。

据 Yole 统计,新能源汽车是 SiC功率器件下逛最主要的使用市场,估计到 2024 年新能源车用 SiC 功率器件市场规模将达到近 12 亿美元。目前以特斯拉 Model 3、比亚迪汉为代表的车型正在逆变器中采用 SiC 功率模块只是车用 SiC 器件的起步,将来跟着 SiC 正在车载充电器、DC/DC 转换以及充电桩中渗入率提拔,市场空间无望快速扩大。

按照光伏逆变器龙头公司官网消息,多个国际大厂曾经结构了 SiC 模块,如英飞凌、安森美、富士电机等国际大厂曾经实现了规模化使用,国内阳光电源也正在 2014 年推出第一款采用 SiC MOSFET 器件的光伏逆变器,并于 2017 年规模化使用。正在国内光伏逆变器的市场拥有率不竭提拔,碳化硅器件势必将优先利用国产替代,国产碳化硅市场送来新的汗青机缘。

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媒介:前面正在《SiC系列一》中我沉点聊了聊碳化硅的需求环境和财产链环境,看完那篇的话能够对碳化硅行业的一些环境进行一些大致的领会,本篇再从行业现状和行业前景等角度弥补引见一下碳化硅行业。

从碳化硅成本降低的角度看,假设碳化硅成本每年降低 10%,估计到 2025 年摆布碳化硅成本无望降到目前硅基 IGBT 成本的 2 倍,同时考虑光伏发电各方面手艺的提拔,届时采用碳化硅方案无望正在 2-3 年摆布回本,若是同时考虑碳化硅正在空间、散热、功率密度对系统全体成本的优化,渗入进展无望加快。

SiC衬底处于行业上逛,1970年代SiC单晶发展方式取得冲破,1990年代SiC衬底实现财产化。SiC衬底本身具有较高的成本。SiC外延材料和SiC基电力电子器件机能及其靠得住性仍然遭到衬底结晶缺陷、概况加工质量的限制。晶圆发展过程中易呈现材料的基面位错,致使 SiC 器件靠得住性下降。另一方面,晶圆发展难度导致SiC材料价钱高贵,想要大规模获得使用仍需一段期间的手艺改良。

SiC 行业是手艺稠密型行业,对研发人员操做经验、资金投入有较高要求。国际巨头半导体公司研发早于国内公司数十年,提前完成了手艺堆集工做。国内企业存正在人才匮乏、手艺程度较低的坚苦,限制了半导体行业的财产化历程成长。碳化硅行业全体处于财产化初期,我国企业取海外企业的差距相对较小。受益于我国 5G 通信、新能源等新兴财产的手艺程度、财产化规模的世界领先地位,国内碳化硅器件庞大的使用市场空间驱动上逛半导体行业快速成长,国内碳化硅厂商具有本身劣势。

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按照 CPIA 预测,2021 年-2025 年,我国光伏拆机容量持续上涨。IGBT 单元成本大约为 2000-2500 万元/GW,SiC 方案成本是 IGBT方案的 3.5 倍即 7000-8750 万元/GW,假设碳化硅成本每年降低 10%。估计2023 年下半年是导入碳化硅的小,目前碳化硅正在光伏中的渗入率是 2%,2025 年碳化硅正在光伏逆变器范畴的渗入率无望达 30%-50%,取中值按 40%测算。粗略估量,2025 年全球光伏逆变器 SiC 市场规模达到 69.96 亿元。